Samsung DDR5 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M323R1GB4DB0-CWM
Артикул: 11005786
Под заказ.
Доставка 7 — 10 дней.
- Основные характеристики -
- Производитель Samsung
- Линейка -
- Модель M323R1GB4DB0-CWM
- Тип оборудования Оперативная память
- Частота MHz DDR4 - 4800
- Тип модуля DIMM
- Объем одного модуля ГБ 8
- Количество модулей в комплекте шт 1
- Общий объем памяти ГБ 8
- Пропускная способность МБ/с 38400
- Количество чипов на модуле -
- Количество контактов 288
- Тайминги -
- CAS Latency CL 40
- RAS to CAS Delay tRCD -
- Row Precharge Delay tRP -
- Activate to Precharge Delay tRAS -
- Тайминги -
- Охлаждение -
- Поддержка водяного охлаждения -
- Дополнительные характеристики -
- Цвет -
- Напряжение В 1.1
- Нормальная операционная температура Tcase -
- Расширенная операционная температура Tcase -
- Компоновка чипов на модуле -
- Чип -
- Потребление энергии -
- Габариты мм -
- Высота мм -
- Вес грамм -
- Дополнительная информация -
- Сайт производителя http://semiconductor.samsung.com
- Сервисный центр производителя http://www.samsung.com/ru/support/local/services/russia.do
- Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung
- Описание Оперативная память M323R1GB4DB0-CWM от Samsung